Uvod u tranzistor Uni-Junction

Tranzistor s jednostranim spojem

Tranzistor s jednostranim spojem poznat je i kao dvobazna dioda jer je dvoslojni, 3-polni SSD-sklopni uređaj. Ima samo jedan spoj, tako da se naziva uređajem za jedno spajanje. Jedinstvena karakteristična karakteristika ovog uređaja je takva da kada se aktivira, struja emitora raste dok je ne ograničava napajanje emiterom. Zahvaljujući svojoj niskoj cijeni, može se koristiti u širokom rasponu primjena, uključujući oscilatore, generatore impulsa i okidačke krugove itd. Uređaj je za apsorpciju male snage i može se raditi u normalnim uvjetima.

Postoje 3 vrste tranzistora s jednostranim spojem

Originalni tranzistor s jednostranim spojem
Pozdravni tranzistor s jednim spojem
Programirani tranzistor s jednostranim spojem (PUT)

1. Izvorni tranzistor s jednim spojem ili UJT je jednostavan uređaj u kojem se poluga poluprovodničkog materijala N-tipa u koji se materijal vrste P difuzira negdje dužinom definira parametar uređaja kao svojstveni zastoj. 2N2646 je najčešće korištena verzija UJT-a. UJT-ovi su vrlo popularni u sklopnim sklopovima i nikada se ne koriste kao pojačala. Što se tiče UJT aplikacija, one se mogu koristiti kao opuštajući oscilatori , fazne kontrole, vremenski krugovi i okidački uređaji za SCR i trijake.

2. Besplatni tranzistor s jednim spojem ili CUJT je šipka poluprovodničkog materijala tipa P u koji se materijal N-tipa difuzira negdje po svojoj duljini definirajući parametar uređaja kao svojstveni zastoj. 2N6114 je jedna verzija CUJT-a.

3. Programabilni tranzistor s jednostranim spojem ili je PUT bliski srodnik tiristora, baš kao i tiristor, sastoji se od četiri sloja P-N i ima anodu i katodu smještene na prvi i zadnji sloj. Sloj tipa N u blizini anode poznat je kao anodni prolaz. U proizvodnji je jeftin.

Programabilni tranzistor s Uni spojem

Među ova tri tranzistora, ovaj članak ukratko govori o radnim značajkama UJT tranzistora i njegovoj konstrukciji.

Izgradnja UJT-a

UJT je trosmjerni jednoslojni dvoslojni uređaj, sličan je tiristoru u usporedbi s tranzistorima. Ima isključeno stanje visoke i impedancije u stanju prilično slično tiristoru. Iz isključenog u uključeno stanje, prebacivanje je uzrokovano modulacijom vodljivosti, a ne djelovanjem bipolarnog tranzistora.

Izgradnja UJT-a

Silicijska šipka ima dva omička kontakta označena kao baza1 i baza2, kao što je prikazano na slici. Funkcija baze i emitera razlikuju se od baze i emitera bipolarnog tranzistora.

Emiter je P-tipa i jako je dopiran. Otpor između B1 i B2 kada je emiter otvoren, naziva se međubazni otpor. Spoj emitora obično se nalazi bliže bazi B2 nego bazi B1. Dakle, uređaj nije simetričan, jer simetrična jedinica ne pruža električne karakteristike za većinu aplikacija.

Simbol za tranzistor s jednostranim spojem prikazan je na si. Kada je uređaj usmjeren prema naprijed, aktivan je ili je u provodnom stanju. Emiter se crta pod kutom prema okomitoj crti koja predstavlja ploču materijala tipa N, a glava strelice usmjerena je u smjeru konvencionalne struje.

Djelovanje UJT-a

Ovaj rad tranzistora započinje postavljanjem opskrbnog napona emitora na nulu, a njegova emiterska dioda obrnuto je pristrana s vlastitim naponom stajanja. Ako je VB napon emiterske diode, tada je ukupni napon obrnutog prednapona VA + VB = Ƞ VBB + VB. Za silicij VB = 0,7 V, Ako VE polako raste do točke u kojoj je VE = Ƞ VBB, tada će IE biti sveden na nulu. Stoga, sa svake strane diode, jednaki naponi ne rezultiraju protokom struje kroz nju, ni u obrnutom ni u prednjem.

Ekvivalentni krug UJT-a

Kada se napon napajanja emitora brzo poveća, tada dioda postaje pristrana i premašuje ukupni napon obrnutog prednapona (Ƞ VBB + VB). Ova vrijednost napona emitora VE naziva se napon vršne točke i označava se VP. Kada je VE = VP, emiterska struja IE teče kroz RB1 do zemlje, odnosno B1. Ovo je minimalna struja potrebna za aktiviranje UJT-a. To se naziva vršna emisijska struja i označava se IP. Ip je obrnuto proporcionalan međubaznom naponu, VBB.

Sada, kada emiterska dioda počne provoditi, nosači naboja ubrizgavaju se u RB područje šipke. Kako otpor poluvodičkog materijala ovisi o dopingu, otpor RB opada zbog dodatnih nosača naboja.

Tada pad napona na RB također opada, sa smanjenjem otpora, jer je emiterska dioda jako pristrana. To zauzvrat rezultira većom strujom naprijed, što rezultira ubrizgavanjem nosača naboja i to će uzrokovati smanjenje otpora RB područja. Dakle, struja emitora se povećava sve dok opskrba emitera nije u ograničenom opsegu.

VA se smanjuje s porastom emiterske struje, a UJT ima karakteristiku negativnog otpora. Baza 2 služi za primjenu vanjskog napona VBB preko nje. Terminali E i B1 su aktivni terminali. UJT se obično aktivira primjenom pozitivnog impulsa na emiter, a može se isključiti primjenom negativnog impulsa okidača.

Zahvaljujemo što ste potrošili dragocjeno vrijeme s ovim člankom i nadamo se da ste možda dobili dobar sadržaj o UJT aplikacijama. Molimo podijelite svoje mišljenje o ovoj temi tako što ćete komentirati u nastavku.

Foto bodovi